KAWASAKI, Japan–(BUSINESS WIRE)–7 พฤศจิกายน 2023
Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation (“Toshiba”) ได้เปิดตัว “SSM10N961L” MOSFET แบบเดรนร่วม ชนิด N-channel กำลังไฟ 30 โวลต์ ซึ่งมีค่าความต้านทานในสถานะเปิดต่ำ ที่เหมาะสำหรับอุปกรณ์ที่เชื่อมต่อด้วย USB และการปกป้องชุดแบตเตอรี่ เริ่มการจัดส่งแล้ววันนี้
Toshiba: SSM10N961L, MOSFET แบบเดรนร่วม ชนิด N-channel กำลังไฟ 30V ในแพ็กเกจใหม่ ขนาดเล็กและบาง (กราฟฟิก: Business Wire)
ในช่วงที่ผ่านมา อุปกรณ์ MOSFET แบบเดรนร่วม ชนิด N-channel ของ Toshiba เน้นสำหรับผลิตภัณฑ์ที่มีกำลังไฟ 12 โวลต์ ซึ่งส่วนใหญ่มีไว้เพื่อใช้ในการปกป้องชุดแบตเตอรี่ลิเธียมไอออนของสมาร์ทโฟน การเปิดตัวของผลิตภัณฑ์กำลังไฟ 30 โวลต์นี้ได้คำนึงถึงการเลือกใช้กับอุปกรณ์ที่ขยายกว้างขึ้นซึ่งต้องการกำลังไฟมากกว่า 12 โวลต์ เช่น โหลดสวิตชิ่งสายไฟสำหรับอุปกรณ์ที่ชาร์จไฟด้วย USB และการปกป้องชุดแบตเตอรี่ลิเธียมไอออนในเครื่องคอมพิวเตอร์แล็ปท็อป และแท็บเล็ต
ด้วยความตระหนักถึงสวิตช์แบบสองทิศทางซึ่งมีค่าความต้านทานในสถานะเปิด (RDS(ON)) ระหว่าง drain-source ต่ำ ซึ่งจะต้องใช้ MOSFET อย่างน้อยสองตัว ไม่ว่าจะเป็นขนาด 3.3×3.3 มม. หรือ 2×2 มม. ที่มีค่า RDS(ON) ต่ำ ผลิตภัณฑ์ใหม่ของ Toshiba ใช้แพ็กเกจใหม่ TCSPAG-341501 (ขนาด 3.37 มม. × 1.47 มม. (typ.), t=0.11 มม. (typ.)) ซึ่งมีขนาดเล็กและบาง ทั้งยังมีคุณสมบัติค่าความต้านทานในสถานะเปิด (RSS(ON)) ของ source-source ต่ำ ที่ 9.9mΩ (typ.) ในรูปแบบเดรนร่วมที่รวมในแพ็กเกจเดียว
เทคโนโลยีสายชาร์จเร็ว (USB Power Delivery – USB PD) ซึ่งรองรับกำลังไฟในช่วงตั้งแต่ 15 วัตต์ (5V / 3A) ถึงกำลังไฟสูงสุดที่ 240 วัตต์ (48V / 5A) ได้รับการพัฒนาขึ้นเพื่ออุปกรณ์ที่ต้องการแหล่งจ่ายไฟที่สูง โดยสายชาร์จ USB PD กำหนดฟังก์ชันการสลับหน้าที่สำหรับการสลับเปลี่ยนแหล่งจ่ายและรับไฟ และต้องใช้อุปกรณ์ที่มีสายชาร์จ USB ที่รองรับการจ่ายไฟแบบสองทิศทาง เพื่อให้สามารถจ่ายและรับไฟได้ทั้งสองด้าน ซึ่งผลิตภัณฑ์ MOSFET ใหม่แบบเดรนร่วมชนิด N-channel นี้รองรับการจ่ายไฟแบบสองทิศทางและใช้พื้นที่เพียงเล็กน้อย
เมื่อใช้รวมกับผลิตภัณฑ์ที่มีวงจรไดรเวอร์ในกลุ่ม TCK42xG series ของ Toshiba จะกลายเป็นวงจรสวิตช์ไฟฟ้าที่มีฟังก์ชันป้องกันการไหลย้อนกลับ หรือวงจรไฟฟ้ามัลติเพล็กซ์เซอร์ ซึ่งสามารถสลับการทำงานระหว่างสวิตช์แบบ Make-Before-Break (MBB) และ Break-Before-Make (BBM) ได้ และในวันนี้ Toshiba ได้เปิดตัว ดีไซน์อ้างอิงสำหรับวงจรไฟฟ้ามัลติเพล็กซ์เซอร์ (โดยใช้ MOSET แบบเดรนร่วม) จากการผสมผสามผลิตภัณฑ์นี้ ในการใช้ดีไซน์อ้างอิงนี้จะช่วยให้สามารถลดเวลาในการออกแบบและการพัฒนาผลิตภัณฑ์ได้
Toshiba จะดำเนินการขยายกลุ่มผลิตภัณฑ์และพัฒนาคุณลักษณะต่าง ๆ ให้ดียิ่งขึ้นเพื่อเพิ่มความยืดหยุ่นด้านการออกแบบ
การใช้งานกับอุปกรณ์
- สมาร์ทโฟน
- เครื่องคอมพิวเตอร์แล็ปท็อป
- แท็บเล็ต และอื่น ๆ
คุณสมบัติ
- ค่าพิกัดแรงดันไฟฟ้าสูง: VSSS=30V
- ค่าความต้านทานในสถานะเปิดต่ำ: RSS(ON)=9.9mΩ (typ.) (VGS=10V)
- โครงสร้างการเชื่อมต่อแบบเดรนร่วมสำหรับการนำไฟฟ้าสองทิศทาง
- แพ็กเกจ TCSPAG-341501 ขนาดเล็กและบาง: 3.37 มม. × 1.47 มม. (typ.), t=0.11มม. (typ.)
ข้อมูลจำเพาะหลัก
|
(หากไม่มีการระบุไว้, Ta=25°C) |
||||
|
หมายเลขชิ้นส่วน |
||||
|
ลักษณะขั้ว |
N-channel×2 |
|||
|
การเชื่อมต่อภายใน |
เดรนร่วม |
|||
|
อันดับแรงดันไฟฟ้า สูงสุด สัมบูรณ์ |
แรงดันไฟฟ้า Source-source VSSS (V) |
30 |
||
|
แรงดันไฟฟ้า Gate-source VGSS (V) |
±20 |
|||
|
แหล่งกำลังไฟฟ้า (DC) IS (A)[1] |
9.0 |
|||
|
แหล่งกำลังไฟฟ้า (DC) IS (A)[2] |
14.0 |
|||
|
คุณลักษณะ ทางไฟฟ้า |
แรงดันไฟฟ้าเบรกดาวน์ Source-source V(BR)SSS (V) |
VGS＝0V |
min |
30 |
|
ความต้านทานในสถานะเปิดของ Source–source RSS(ON) (mΩ) |
VGS＝10V |
typ. |
9.9 |
|
|
VGS＝4.5V |
typ. |
13.6 |
||
|
แพ็กเกจ |
ชื่อ |
TCSPAG-341501 |
||
|
ขนาด (มม.) |
typ. |
3.37×1.47, t=0.11 |
||
|
ดูตัวอย่างและตรวจสอบสินค้า |
||||
หมายเหตุ:
[1] อุปกรณ์ติดตั้งบนแผ่นลามิเนตใยแก้ว FR4 ขนาด 25 มม. × 27.5 มม., t=1.6 มม., Cu Pad: 18µm, 407 มม.2
[2] อุปกรณ์ติดตั้งบนแผ่นลามิเนตใยแก้ว FR4 ขนาด 25 มม. × 27.5 มม., t=1.6 มม., Cu Pad: 70µm, 687.5 มม.2
สำหรับข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับผลิตภัณฑ์ใหม่ โปรดเข้าไปที่ลิงก์ด้านล่างนี้
SSM10N961L
สำหรับข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับ MOSFET ของ Toshiba โปรดเข้าไปที่ลิงก์ด้านล่างนี้
MOSFETs
สำหรับข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับข้อเสนอด้านโซลูชันของ Toshiba โดยใช้ผลิตภัณฑ์ใหม่ โปรดเข้าไปที่ลิงก์ด้านล่างนี้
การใช้งานกับอุปกรณ์
สมาร์ทวอทช์
Action Camera
อุปกรณ์แท็บเล็ต
หากต้องการตรวจสอบสถานะของผลิตภัณฑ์ใหม่จากตัวแทนจำหน่ายออนไลน์ โปรดไปที่:
SSM10N961L
สั่งซื้อออนไลน์
* ชื่อบริษัท ชื่อผลิตภัณฑ์ และชื่อบริการ อาจเป็นเครื่องหมายการค้าของบริษัทนั้น ๆ
* ข้อมูลในเอกสารฉบับนี้ รวมถึงราคาและข้อมูลจำเพาะของผลิตภัณฑ์ ข้อมูลด้านการบริการและการติดต่อ เป็นข้อมูลปัจจุบันตามวันที่ของประกาศนี้ แต่อาจมีการเปลี่ยนแปลงได้โดยไม่ต้องแจ้งให้ทราบล่วงหน้า
เกี่ยวกับ Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation
Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation เป็นบริษัทผู้จัดหาโซลูชันชั้นนำในด้านเซมิคอนดักเตอร์และพื้นที่ในการจัดเก็บ ซึ่งนำเสนอประสบการณ์และนวัตกรรมด้านเซมิคอนดักเตอร์ชนิดแยกชิ้น ระบบ LSI และผลิตภัณฑ์ HDD อันโดดเด่นให้กับลูกค้าและคู่ค้าทางธุรกิจมากกว่าครึ่งศตวรรษ
พนักงานของบริษัทกว่า 21,500 รายทั่วโลกมีความมุ่งมั่นในการเพิ่มคุณค่าให้กับผลิตภัณฑ์สูงสุด และส่งเสริมการร่วมมือกับลูกค้าอย่างใกล้ชิดในการร่วมสร้างสรรค์คุณค่าและตลาดใหม่ ด้วยยอดขายต่อปีที่เฉียด 8 แสนล้านเยน (6.1 พันล้านเหรียญสหรัฐ) Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation มุ่งหน้าในการสร้างและสนับสนุนอนาคตที่ดีขึ้นสำหรับผู้คนทุกหนแห่ง
ดูข้อมูลเพิ่มเติมได้ที่ https://toshiba.semicon-storage.com/ap-en/top.html
สามารถรับชมภาพในรูปแบบมัลติมีเดียได้ที่:
https://www.businesswire.com/news/home/53738996/en
เนื้อหาใจความในภาษาต้นฉบับของข่าวประชาสัมพันธ์ฉบับนี้เป็นฉบับที่เชื่อถือได้และเป็นทางการ การแปลต้นฉบับนี้จึงมีจุดประสงค์เพื่ออำนวยความสะดวกเท่านั้น และควรนำไปเทียบเคียงอ้างอิงกับเนื้อหาในภาษาต้นฉบับ ซึ่งเป็นฉบับเดียวที่มีผลทางกฎหมาย
ข้อมูลติดต่อ
สอบถามข้อมูลสำหรับลูกค้า:
Small Signal Device Sales & Marketing Dept.
Tel: +81-44-548-2215
ติดต่อเรา
สอบถามข้อมูลสำหรับสื่อ:
Chiaki Nagasawa
Digital Marketing Dept.
Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation
semicon-NR-mailbox@ml.toshiba.co.jp
แหล่งข้อมูล: Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation
