คาวาซากิ ญี่ปุ่น–(BUSINESS WIRE)–31 สิงหาคม 2023
Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation (Toshiba) ได้เปิดตัว MOSFET ซิลิคอนคาร์ไบด์ (SiC) “ซีรีส์ TWxxxZxxxC” ที่ใช้แพ็กเกจ TO-247-4L(X) สี่พินที่ช่วยลดการสูญเสียเมื่อเปิดปิดด้วย[1 ] ชิป SiC MOSFET รุ่นที่ 3 สำหรับเครื่องจักรอุตสาหกรรม การจัดส่งผลิตภัณฑ์สิบรายการจะเริ่มตั้งแต่วันนี้ โดยห้ารายการที่มีระดับ 650V และห้ารายการที่มีระดับ 1200V
Toshiba: SiC MOSFET รุ่นที่ 3 สำหรับเครื่องจักรอุตสาหกรรมพร้อมแพ็กเกจสี่พินที่ช่วยลดการสูญเสียเมื่อเปิดปิด (กราฟิก: Business Wire)
ผลิตภัณฑ์ใหม่คือ ผลิตภัณฑ์แรกในกลุ่มผลิตภัณฑ์ SiC MOSFET ของโตชิบาที่ใช้แพ็กเกจ TO-247-4L(X) สี่พิน ซึ่งช่วยให้สามารถเชื่อมต่อแบบเคลวินของขั้วต่อแหล่งสัญญาณสำหรับไดรฟ์เกต แพ็กเกจสามารถลดผลกระทบของการเหนี่ยวนำสายไฟภายในแพ็กเกจ ปรับปรุงประสิทธิภาพการเปิดปิดความเร็วสูง สำหรับ TW045Z120C ใหม่ การสูญเสียเมื่อเปิดเครื่องจะลดลงประมาณ 40% และการสูญเสียเมื่อปิดเครื่องจะลดลงประมาณ 34%[2] เมื่อเทียบกับผลิตภัณฑ์ปัจจุบันของ Toshiba ซึ่งคือ TW045N120C ในแพ็กเกจ TO-247 สามพิน ซึ่งจะช่วยลดการสูญเสียพลังงานของเครื่องจักร
การออกแบบอ้างอิงสำหรับอินเวอร์เตอร์สามเฟสที่ใช้ SiC MOSFETs ถูกเผยแพร่ทางออนไลน์
Toshiba จะยังคงขยายกลุ่มผลิตภัณฑ์ของตนต่อไปเพื่อตอบสนองแนวโน้มของตลาด และมีส่วนช่วยปรับปรุงประสิทธิภาพของเครื่องจักรและขยายกำลังการผลิตไฟฟ้า
หมายเหตุ:
[1] ณ เดือนสิงหาคม 2023
[2] ณ เดือนสิงหาคม 2023 ค่าที่วัดโดย Toshiba (เงื่อนไขการทดสอบ: VDD=800V, VGG=+18V/0V, ID=20A, RG=4.7Ω, L=100μH, Ta=25°C)
การใช้งาน
- การสลับแหล่งจ่ายไฟ (เซิร์ฟเวอร์ ศูนย์ข้อมูล อุปกรณ์สื่อสาร ฯลฯ)
- สถานีชาร์จ EV
- อินเวอร์เตอร์ไฟฟ้าพลังงานแสงอาทิตย์
- เครื่องสำรองไฟ (UPS)
คุณสมบัติ
- แพ็กเกจสี่พิน TO-247-4L(X):
การสูญเสียเมื่อเปิดปิดจะลดลงโดยการเชื่อมต่อแบบเคลวินของขั้วต่อแหล่งสัญญาณสำหรับไดรฟ์เกต - SiC MOSFET รุ่นที่ 3
- ค่าความต้านทานจากแหล่งเดรนต่ำ x ค่าประจุเกต-เดรน
- แรงดันไปข้างหน้าของไดโอดต่ำ: VDSF=-1.35V (typ.) (VGS=-5V)
ข้อมูลจำเพาะหลัก
|
(Ta=25°C เว้นแต่จะระบุไว้เป็นอย่างอื่น) |
||||||||||||
|
หมายเลขชิ้นส่วน |
แพ็กเกจ |
ระดับกระแสไฟสูงสุดโดยสัมบูรณ์ |
คุณลักษณะทางไฟฟ้า |
การตรวจสอบตัวอย่าง และ ความพร้อม |
||||||||
|
ค่าความต้านทาน จาก จากเกต VDSS (V) |
ค่าประจุ จาก จากเกต VGSS (V) |
กระแส เดรน (DC) ID (A) |
ค่าความต้านทาน จาก แหล่ง เดรน RDS(ON) (mΩ) |
แรงดันไฟฟ้า เทรชโฮลด์ จากเกต Vth (V) |
ค่าประจุ เกต รวม Qg (nC) |
ค่าประจุ เกต- รวม Qgd (nC) |
อินพุต ความจุ Ciss (pF) |
แรงดัน ไปข้างหน้า จากเกต VDSF (V) |
||||
|
Tc=25°C |
VGS=18V |
VDS=10V |
VGS=18V |
VGS=18V |
typ. |
ทดสอบ สภาพ VDS (V) |
VGS=-5V |
|||||
|
typ. |
typ. |
typ. |
typ. |
|||||||||
|
TO-247-4L(X) |
1200 |
-10 ถึง 25 |
100 |
15 |
3.0 ถึง 5.0 |
158 |
23 |
6000 |
800 |
-1.35 |
||
|
60 |
30 |
82 |
13 |
2925 |
||||||||
|
40 |
45 |
57 |
8.9 |
1969 |
||||||||
|
36 |
60 |
46 |
7.8 |
1530 |
||||||||
|
20 |
140 |
24 |
4.2 |
691 |
||||||||
|
650 |
100 |
15 |
128 |
19 |
4850 |
400 |
||||||
|
58 |
27 |
65 |
10 |
2288 |
||||||||
|
40 |
48 |
41 |
6.2 |
1362 |
||||||||
|
30 |
83 |
28 |
3.9 |
873 |
||||||||
|
20 |
107 |
21 |
2.3 |
600 |
||||||||
ไปที่ลิงก์ด้านล่างเพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับผลิตภัณฑ์ใหม่
TW015Z120C
TW030Z120C
TW045Z120C
TW060Z120C
TW140Z120C
TW015Z65C
TW027Z65C
TW048Z65C
TW083Z65C
TW107Z65C
ไปที่ลิงก์ด้านล่างเพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับ MOSFET ของ Toshiba
MOSFET
ไปที่ลิงก์ด้านล่างเพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับข้อเสนอโซลูชันของ Toshiba
การใช้งาน
เซิร์ฟเวอร์
เครื่องสำรองไฟ
ไฟ LED
หากต้องการตรวจสอบความพร้อมของผลิตภัณฑ์ใหม่ที่ตัวแทนจำหน่ายออนไลน์ โปรดไปที่:
TW015Z120C
ซื้อออนไลน์
TW030Z120C
TW045Z120C
ซื้อออนไลน์
TW060Z120C
ซื้อออนไลน์
TW140Z120C
ซื้อออนไลน์
TW015Z65C
ซื้อออนไลน์
TW027Z65C
ซื้อออนไลน์
TW048Z65C
ซื้อออนไลน์
TW083Z65C
ซื้อออนไลน์
TW107Z65C
ซื้อออนไลน์
* ชื่อบริษัท ชื่อผลิตภัณฑ์ และชื่อบริการอาจเป็นเครื่องหมายการค้าของบริษัทที่เกี่ยวข้อง
* ข้อมูลในเอกสารนี้ รวมถึงราคาและข้อมูลจำเพาะของผลิตภัณฑ์ เนื้อหาบริการ และข้อมูลการติดต่อ เป็นข้อมูลปัจจุบัน ณ วันที่ประกาศ แต่อาจมีการเปลี่ยนแปลงได้โดยไม่ต้องแจ้งให้ทราบล่วงหน้า
เกี่ยวกับ Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation
Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation เป็นซัพพลายเออร์ชั้นนำด้านโซลูชันเซมิคอนดักเตอร์และการจัดเก็บขั้นสูง ที่ประยุกต์ใช้ประสบการณ์กว่าครึ่งศตวรรษและนวัตกรรมในการนำเสนอผลิตภัณฑ์เซมิคอนดักเตอร์ชนิดแยกชิ้น ผลิตภัณฑ์ระบบ LSI และ HDD อันโดดเด่นให้กับลูกค้าและพันธมิตรทางธุรกิจ
พนักงานของบริษัท 21,500 คนทั่วโลกมีความมุ่งมั่นร่วมกันในการเพิ่มมูลค่าผลิตภัณฑ์ให้สูงสุด และส่งเสริมการทำงานร่วมกันอย่างใกล้ชิดกับลูกค้าในการสร้างมูลค่าและตลาดใหม่ร่วมกัน Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation คาดหวังที่จะสร้างและมีส่วนร่วมในอนาคตที่ดีขึ้นเพื่อทุกคนทั่วโลก โดยมียอดขายต่อปีเกือบ 800 พันล้านเยน (6.1 พันล้านดอลลาร์สหรัฐ)
ดูข้อมูลเพิ่มเติมที่ https://toshiba.semicon-storage.com/ap-en/top.html
สามารถรับชมภาพในรูปแบบมัลติมีเดียได้ที่: https://www.businesswire.com/news/home/53546551/en
เนื้อหาใจความในภาษาต้นฉบับของข่าวประชาสัมพันธ์ฉบับนี้เป็นฉบับที่เชื่อถือได้และเป็นทางการ การแปลต้นฉบับนี้จึงมีจุดประสงค์เพื่ออำนวยความสะดวกเท่านั้น และควรนำไปเทียบเคียงอ้างอิงกับเนื้อหาในภาษาต้นฉบับ ซึ่งเป็นฉบับเดียวที่มีผลทางกฎหมาย
รายชื่อติดต่อ
ช่องทางสอบถามสำหรับลูกค้า:
ฝ่ายขายและการตลาดอุปกรณ์ไฟฟ้า
โทร: +81-44-548-2216
ติดต่อเรา
ช่องทางสอบถามสำหรับสื่อ:
Chiaki Nagasawa
ฝ่ายการตลาดดิจิทัล
Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation
semicon-NR-mailbox@ml.toshiba.co.jp
ที่มา: Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation
