KAWASAKI, Japan–(BUSINESS WIRE)–13 กรกฎาคม 2023
Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation (“Toshiba”) ได้เปิดตัว “ซีรีส์ TRSxxx65H” [1] ซึ่งเป็นรุ่นที่ 3 และเป็นรุ่นล่าสุดของบริษัทของซิลิคอนคาร์ไบด์ (SiC) Schottky barrier diodes (SBD) สำหรับอุปกรณ์อุตสาหกรรม เริ่มจัดส่งผลิตภัณฑ์ 12 รายการแรกตั้งแต่วันนี้ ซึ่งทั้งหมดเป็น 650V โดยมี 7 รายการอยู่ในแพ็กเกจ TO-220-2L และ 5 รายการในแพ็กเกจ DFN8×8
Toshiba: ซีรีส์ TRSxxx65H, 650V SiC Schottky barrier diodes รุ่นที่ 3 (กราฟิก: Business Wire)
ผลิตภัณฑ์ใหม่นี้ใช้โลหะชนิดใหม่ในชิป SiC SBD รุ่นที่ 3 ซึ่งปรับโครงสร้าง junction barrier Schottky (JBS)[2] ของผลิตภัณฑ์รุ่นที่ 2 ให้เหมาะสมที่สุด โดยมีแรงดันไปข้างหน้าต่ำระดับแนวหน้าของอุตสาหกรรม[3] ที่ 1.2V (Typ.) ต่ำกว่า 1.45V (Typ.) ของรุ่นก่อนหน้า 17% ทั้งยังปรับปรุงการแลกเปลี่ยนระหว่างแรงดันไปข้างหน้าและประจุไฟฟ้าทั้งหมด และระหว่างแรงดันไปข้างหน้าและกระแสย้อนกลับ ซึ่งช่วยลดการกระจายพลังงานและทำให้อุปกรณ์มีประสิทธิภาพสูง
หมายเหตุ:
[1] ณ เดือนกรกฎาคม 2023
[2] โครงสร้าง JBS ช่วยลดสนามไฟฟ้าที่อินเทอร์เฟซ Schottky และลดกระแสรั่วไหล
[3] ผลสำรวจของ Toshiba ในเดือนกรกฎาคม 2023
การใช้งาน
- แหล่งจ่ายไฟแบบสลับ
- สถานีชาร์จรถยนต์ไฟฟ้า
- อินเวอร์เตอร์พลังงานแสงอาทิตย์
คุณสมบัติ
- แรงดันไปข้างหน้าต่ำระดับอุตสาหกรรม[3] : VF＝1.2V (Typ.) (IF=IF(DC))
- กระแสย้อนกลับต่ำ:
TRS6E65H IR＝1.1μA (Typ.) (VR=650V) - ประจุตัวเก็บประจุรวมต่ำ
TRS6E65H QC＝17nC (Typ.) (VR=400V, f=1MHz)
ข้อกำหนดหลัก
|
(เว้นแต่จะระบุไว้เป็นอย่างอื่น, Ta=25°C) |
|||||||||||
|
หมายเลขชิ้นส่วน |
บรรจุภัณฑ์ |
พิกัดสูงสุด |
คุณลักษณะทางไฟฟ้า |
ตัวอย่าง การตรวจสอบและ ความพร้อมใช้งาน |
|||||||
|
แรงดัน ย้อนกลับ สูงสุด แบบซ้ำ VRRM (V) |
กระแส ตรง ไปข้างหน้า IF(DC) (A) |
กระแสไฟ พุ่งสูง แบบไม่ซ้ำ IFSM (A) |
กระแส แบบซ้ำ (การวัด แบบพัลส์) VF (V) |
สูงสุด ไปข้างหน้า (การวัด แบบพัลส์) IR (μA) |
ความจุ รวม Ct (pF) |
ความจุ ที่เก็บสะสม รวม QC (nC) |
|||||
|
สภาพอุณหภูมิ Tc (°C) |
f=50Hz (คลื่น ครึ่งไซน์ t=10ms) Tc=25°C |
สี่เหลี่ยม ครึ่งไซน์ t=10μs, Tc=25°C |
IF=IF(DC) |
VR=650V |
VR=400V, f=1MHz |
||||||
|
ประเภท |
ประเภท |
ประเภท |
ประเภท |
||||||||
|
TO-220-2L |
650 |
2 |
164 |
19 |
120 |
1.2 |
0.2 |
10 |
6.5 |
||
|
3 |
161 |
28 |
170 |
0.4 |
14 |
9 |
|||||
|
4 |
158 |
36 |
230 |
0.6 |
17 |
12 |
|||||
|
6 |
153 |
41 |
310 |
1.1 |
24 |
17 |
|||||
|
8 |
149 |
56 |
410 |
1.5 |
31 |
22 |
|||||
|
10 |
148 |
62 |
510 |
2.0 |
38 |
27 |
|||||
|
12 |
148 |
74 |
640 |
2.4 |
46 |
33 |
|||||
|
DFN8×8 |
4 |
155 |
28 |
230 |
0.6 |
17 |
12 |
||||
|
6 |
151 |
41 |
310 |
1.1 |
24 |
17 |
|||||
|
8 |
148 |
45 |
410 |
1.5 |
31 |
22 |
|||||
|
10 |
145 |
54 |
510 |
2.0 |
38 |
27 |
|||||
|
12 |
142 |
60 |
640 |
2.4 |
46 |
33 |
|||||
คลิกลิงก์ด้านล่างเพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับผลิตภัณฑ์ใหม่
TRS2E65H
TRS3E65H
TRS4E65H
TRS6E65H
TRS8E65H
TRS10E65H
TRS12E65H
TRS4V65H
TRS6V65H
TRS8V65H
TRS10V65H
TRS12V65H
คลิกลิงก์ด้านล่างเพื่อเรียนรู้เพิ่มเติมเกี่ยวกับ Schottky Barrier Diode ที่ใช้วัสดุ SiC ของ Toshiba
Schottky Barrier Diodes ที่ใช้วัสดุ SiC
หากต้องการตรวจสอบว่าผลิตภัณฑ์ใหม่มีจำหน่ายที่ตัวแทนจำหน่ายออนไลน์หรือไม่ โปรดไปที่:
TRS2E65H
ซื้อออนไลน์
TRS3E65H
ซื้อออนไลน์
TRS4E65H
ซื้อออนไลน์
TRS6E65H
ซื้อออนไลน์
TRS8E65H
ซื้อออนไลน์
TRS10E65H
ซื้อออนไลน์
TRS12E65H
ซื้อออนไลน์
TRS4V65H
ซื้อออนไลน์
TRS6V65H
ซื้อออนไลน์
TRS8V65H
ซื้อออนไลน์
TRS10V65H
ซื้อออนไลน์
TRS12V65H
ซื้อออนไลน์
* ชื่อบริษัท ชื่อผลิตภัณฑ์ และชื่อบริการอาจเป็นเครื่องหมายการค้าของบริษัทนั้น ๆ
* ข้อมูลในเอกสารนี้ รวมถึงราคาและข้อกำหนดของผลิตภัณฑ์ เนื้อหาบริการ และข้อมูลติดต่อ เป็นปัจจุบัน ณ วันที่ประกาศ แต่อาจเปลี่ยนแปลงได้โดยไม่ต้องแจ้งให้ทราบล่วงหน้า
เกี่ยวกับ Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation
Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation ซัพพลายเออร์ชั้นนำด้านโซลูชันเซมิคอนดักเตอร์และการจัดเก็บข้อมูลขั้นสูง ใช้ประสบการณ์และนวัตกรรมกว่าครึ่งศตวรรษเพื่อนำเสนอเซมิคอนดักเตอร์แยกระบบ LSI และผลิตภัณฑ์ HDD ให้กับลูกค้าและพันธมิตรทางธุรกิจ
พนักงานของบริษัทกว่า 21,500 คนทั่วโลกต่างมีความมุ่งมั่นร่วมกันในการเพิ่มมูลค่าผลิตภัณฑ์ให้สูงสุด และส่งเสริมความร่วมมืออย่างใกล้ชิดกับลูกค้าในการสร้างมูลค่าร่วมกันและเปิดตลาดใหม่ ด้วยยอดขายต่อปีเกือบ 800 พันล้านเยน (6.1 พันล้านเหรียญสหรัฐ) Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation ตั้งตารอที่จะสร้างและมีส่วนร่วมในการสร้างอนาคตที่ดีกว่าสำหรับผู้คนทุกที่
ค้นหาข้อมูลเพิ่มเติมได้ที่ https://toshiba.semicon-storage.com/ap-en/top.html
สามารถรับชมภาพในรูปแบบมัลติมีเดียได้ที่: https://www.businesswire.com/news/home/53451045/en
เนื้อหาใจความในภาษาต้นฉบับของข่าวประชาสัมพันธ์ฉบับนี้เป็นฉบับที่เชื่อถือได้และเป็นทางการ การแปลต้นฉบับนี้จึงมีจุดประสงค์เพื่ออำนวยความสะดวกเท่านั้น และควรนำไปเทียบเคียงอ้างอิงกับเนื้อหาในภาษาต้นฉบับ ซึ่งเป็นฉบับเดียวที่มีผลทางกฎหมาย
ติดต่อ
ฝ่ายลูกค้าสัมพันธ์:
ฝ่ายขายและการตลาดอุปกรณ์ไฟฟ้า
โทร: +81-44-548-2216
ติดต่อเรา
ฝ่ายสื่อมวลชนสัมพันธ์:
Chiaki Nagasawa
ฝ่ายการตลาดดิจิทัล
Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation
semicon-NR-mailbox@ml.toshiba.co.jp
แหล่งที่มา: Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation
พันธ์ฉบับนี้เป็นฉบับที่เชื่อถือได้และเป็นทางการ การแปลต้นฉบับนี้จึงมีจุดประสงค์เพื่ออำนวยความสะดวกเท่านั้น และควรนำไปเทียบเคียงอ้างอิงกับเนื้อหาในภาษาต้นฉบับ ซึ่งเป็นฉบับเดียวที่มีผลทางกฎหมาย
