อุปกรณ์ 256GB, 512GB และ 1TB ใหม่ช่วยให้สดมาร์ทโฟนและแอปพลิเคชันมือถือใช้ประโยชน์จากเครือข่าย 5G ได้
โตเกียว–(BUSINESS WIRE)–31 พฤษาภาคม 2023
การพัฒนาเทคโนโลยี Universal Flash Storage[1] (UFS) ไปข้างหน้าอย่างต่อเนื่องโดย Kioxia Corporation ซึ่งเป็นผู้นำระดับโลกด้านโซลูชันหน่วยความจำ ประกาศการสุ่มตัวอย่างของอุปกรณ์หน่วยความจำแฟลชแบบฝังตัว UFS เวอร์ชัน 4.0 ที่มีประสิทธิภาพสูงกว่า อุปกรณ์เหล่านี้ให้ความเร็วในการโอนหน่วยเก็บข้อมูลแบบฝังตัวที่รวดเร็วด้วยขนาดแพ็คเกจที่เล็ก และมีเป้าหมายสำหรับแอพพลิเคชั่นมือถือที่หลากหลายรุ่นต่อไป รวมถึงสมาร์ทโฟนระดับแนวหน้า ประสิทธิภาพที่ได้รับการปรับปรุงจากผลิตภัณฑ์ UFS ของ Kioxia ช่วยให้แอปพลิเคชันเหล่านี้สามารถใช้ประโยชน์ด้านการเชื่อมต่อของ 5G ซึ่งทำให้ดาวน์โหลดได้เร็วขึ้น ลดเวลาหน่วง และปรับปรุงประสบการณ์ผู้ใช้
Kioxia: อุปกรณ์หน่วยความจำแฟลชแบบฝังตัว UFS เวอร์ชัน 4.0 (ภาพ: Business Wire)
อุปกรร์ UFS เวอร์ชัน 4.0 จาก Kioxia รวมหน่วยความจำแฟลช BiCS FLASH™ 3D ที่เป็นนวัตกรรมของบริษัทและตัวควบคุมในแพ็คเกจมาตรฐาน JEDEC โดย UFS 4.0 รวม MIPI M-PHY 5.0 และ UniPro 2.0 และรองรับความเร็วอินเทอร์เฟซตามทฤษฎีสูงถึง 23.2Gbps ต่อเลนหรือ 46.4Gbps ต่ออุปกรณ์ UFS 4.0 เข้ากันได้กับ UFS 3.1 แบบย้อนหลัง
คุณสมบัติที่สำคัญ ได้แก่
- การปรับปรุงประสิทธิภาพการทำงานเหนือรุ่นก่อนหน้า[3]: การเขียนตามลำดับ +18%, การเขียนแบบสุ่ม +30% และการอ่านแบบสุ่ม +13%
- รองรับฟีเจอร์ High Speed Link Startup Sequence (HS-LSS): โดย UFS ทั่วไป การเริ่มต้นลิงก์ (ลำดับการเริ่มต้นของ M-PHY และ UniPro) ระหว่างอุปกรณ์และโฮสต์จะทำงานที่ PWM-G1 ความเร็วต่ำ (3~9Mbps[4]) แต่ด้วย HS-LSS สามารถทำงานได้ที่ความเร็ว HS-G1 อัตรา A (1248Mbps) ซึ่งคาดว่าจะลดเวลาในการเริ่มต้นลิงก์ได้ประมาณ 70% เมื่อเทียบกับวิธีการทั่วไป
- ปรับปรุงความปลอดภัย: ในการใช้ Advanced RPMB (Replay Protected Memory Block) เพื่อการเข้าถึงการอ่านและเขียนข้อมูลความปลอดภัยที่รวดเร็วยิ่งขึ้น เช่น ข้อมูลประจำตัวของผู้ใช้ในพื้นที่ RPMB และ RPMB Purge เพื่อให้แน่ใจว่ามีการล้างข้อมูลที่ถูกละทิ้งอย่างปลอดภัยและรวดเร็ว
- รองรับ Extended Initiator ID (Ext-IID): มีวัตถุประสงค์เพื่อกับ Multi Circular Queue (MCQ) ที่โฮสต์คอนโทรลเลอร์ UFS 4.0 เพื่อเพิ่มประสิทธิภาพการทำงานแบบสุ่ม
ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง:
ข้อมูลผลิตภัณฑ์ของอุปกรณ์หน่วยความจำแฟลชแบบฝังตัว UFS เวอร์ชัน 4.0 ของ Kioxia
https://www.kioxia.com/en-jp/business/memory/mlc-nand/ufs4.html
หมายเหตุ
[1] Universal Flash Storage (UFS) เป็นหมวดหมู่ผลิตภัณฑ์สำหรับกลุ่มผลิตภัณฑ์หน่วยความจำแบบฝังตัวที่สร้างขึ้นตามข้อกำหนดมาตรฐาน JEDEC UFS เนื่องจากเป็นอินเทอร์เฟซแบบอนุกรม UFS จึงสนับสนุนการดูเพล็กซ์เต็มรูปแบบ ซึ่งช่วยให้สามารถอ่านและเขียนพร้อมกันระหว่างหน่วยประมวลผลโฮสต์และอุปกรณ์ UFS
[2] อุปกรณ์ใหม่ล่าสุดของบริษัทรองรับสามความจุ: 256 กิกะไบต์ (GB), 512GB และ 1 เทราไบต์ (TB) การจัดส่งตัวอย่างของอุปกรณ์ 256GB และ 512GB เริ่มในเดือนนี้ โดยมีกำหนดจัดส่งอุปกรณ์ 1TB หลังจากเดือนตุลาคม ข้อมูลจำเพาะของตัวอย่างอาจแตกต่างจากผลิตภัณฑ์เชิงพาณิชย์
[3] เมื่อเปรียบเทียบอุปกรณ์หน่วยความจำแฟลชแบบฝังตัว UFS เวอร์ชัน 4.0 ขนาด 512 GB ใหม่ของ Kioxia 4.0 และอุปกรณ์หน่วยความจำแฟลชแบบฝังตัว UFS เวอร์ชัน 4.0 ขนาด 512 GB รุ่นก่อนหน้าของ Kioxia (หมายเลขชิ้นส่วน THGJFJT2T85BAT0)
[4] ความเร็วในการสื่อสาร PWM-G1 ขึ้นอยู่กับโฮสต์และอุปกรณ์
*ในการกล่าวถึงผลิตภัณฑ์ Kioxia ทุกครั้ง: ความหนาแน่นของผลิตภัณฑ์จะระบุตามความหนาแน่นของชิปหน่วยความจำภายในผลิตภัณฑ์ ไม่ใช่จำนวนความจุหน่วยความจำที่มีให้สำหรับการจัดเก็บข้อมูลโดยผู้ใช้ปลายทาง ความจุที่ผู้บริโภคใช้งานได้จะน้อยลงเนื่องจากพื้นที่ข้อมูลส่วนหัว การจัดรูปแบบ บล็อกเสีย และข้อจำกัดอื่นๆ และอาจแตกต่างกันไปตามอุปกรณ์โฮสต์และแอปพลิเคชัน สำหรับรายละเอียด โปรดดูข้อมูลจำเพาะของผลิตภัณฑ์ที่เกี่ยวข้อง คำจำกัดความของ 1KB = 2^10 ไบต์ = 1,024 ไบต์ คำจำกัดความของ 1Gb = 2^30 บิต = 1,073,741,824 บิต คำจำกัดความของ 1GB = 2^30 ไบต์ = 1,073,741,824 ไบต์ 1Tb = 2^40 บิต = 1,099,511,627,776 บิต
*ความเร็วในการอ่านและเขียนเป็นค่าที่ดีที่สุดที่ได้รับจากสภาพแวดล้อมการทดสอบเฉพาะที่ Kioxia Corporation และ Kioxia Corporation ไม่รับประกันความเร็วในการอ่านหรือเขียนในอุปกรณ์แต่ละตัว ความเร็วในการอ่านและเขียนอาจแตกต่างกันไปขึ้นอยู่กับอุปกรณ์ที่ใช้และขนาดไฟล์ที่อ่านหรือเขียน
*ชื่อบริษัท ชื่อผลิตภัณฑ์ และชื่อบริการอาจเป็นเครื่องหมายการค้าของบริษัทบุคคลที่สาม
เกี่ยวกับ Kioxia
Kioxia เป็นผู้นำระดับโลกในด้านโซลูชันหน่วยความจำ ซึ่งอุทิศให้กับการพัฒนา การผลิต และการขายหน่วยความจำแฟลชและโซลิดสเตตไดร์ฟ (SSD) ในเดือนเมษายน 2017 Toshiba Memory รุ่นก่อนหน้าได้แยกตัวออกจาก Toshiba Corporation ซึ่งเป็นบริษัทที่คิดค้นหน่วยความจำแฟลช NAND ในปี 1987 Kioxia มุ่งมั่นที่จะยกระดับโลกด้วย “หน่วยความจำ” โดยนำเสนอผลิตภัณฑ์ บริการ และระบบที่สร้างทางเลือกให้กับลูกค้าและคุณค่าต่อสังคมที่ใช้หน่วยความจำ เทคโนโลยีหน่วยความจำแฟลช 3 มิติที่เป็นนวัตกรรมใหม่ของ Kioxia หรือ BiCS FLASH™ กำลังกำหนดอนาคตของพื้นที่จัดเก็บข้อมูลในแอปพลิเคชันที่มีความหนาแน่นสูง รวมถึงสมาร์ทโฟนขั้นสูง, พีซี, SSD, ยานยนต์และศูนย์ข้อมูล
*ข้อมูลในเอกสารนี้ รวมถึงราคาและข้อกำหนดของผลิตภัณฑ์ เนื้อหาบริการ และข้อมูลการติดต่อ มีความถูกต้อง ณ วันที่ประกาศ แต่อาจเปลี่ยนแปลงได้โดยไม่ต้องแจ้งให้ทราบล่วงหน้า
สามารถรับชมภาพในรูปแบบมัลติมีเดียได้ที่: https://www.businesswire.com/news/home/53408968/en
เนื้อหาใจความในภาษาต้นฉบับของข่าวประชาสัมพันธ์ฉบับนี้เป็นฉบับที่เชื่อถือได้และเป็นทางการ การแปลต้นฉบับนี้จึงมีจุดประสงค์เพื่ออำนวยความสะดวกเท่านั้น และควรนำไปเทียบเคียงอ้างอิงกับเนื้อหาในภาษาต้นฉบับ ซึ่งเป็นฉบับเดียวที่มีผลทางกฎหมาย
ติดต่อ
ช่องทางสอบถามสำหรับลูกค้า:
Kioxia Corporation
สำนักงานขายทั่วโลก
https://business.kioxia.com/en-jp/buy/global-sales.html
ช่องทางสอบถามสำหรับสื่อ:
Kioxia Corporation
ฝ่ายวางแผนกลยุทธ์การขาย
Koji Takahata
โทร: +81-3-6478-2404
แหล่งที่มา: Kioxia Corporation
