คาวาซากิ ประเทศญี่ปุ่น–(BUSINESS WIRE)–18 พฤษภาคม 2023
Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation (“Toshiba”) ได้เปิดตัว “SSM14N956L” ซึ่งเป็น MOSFET แบบ N-channel ระบายน้ำทั่วไป 12V ที่มีพิกัดกระแส 20A สำหรับใช้ในวงจรป้องกันแบตเตอรี่ในชุดแบตเตอรี่ลิเธียมไอออน (Li-ion) เช่น สำหรับอุปกรณ์พกพา ซึ่งเริ่มจัดส่งแล้ววันนี้
Toshiba: SSM14N956L, MOSFET แบบ Common-Drain ขนาดเล็กและบางที่มีคุณสมบัติ On-Resistance ต่ำมาก (กราฟิก: Business Wire)
ชุดแบตเตอรี่ลิเธียมไอออน (Li-ion) อาศัยวงจรป้องกันที่ทนทานสูงเพื่อลดการเกิดความร้อนขณะชาร์จและคายประจุ และเพื่อเพิ่มความปลอดภัย วงจรเหล่านี้ต้องมีลักษณะการใช้พลังงานต่ำและบรรจุภัณฑ์ที่มีความหนาแน่นสูง โดยต้องใช้ MOSFET ที่มีขนาดเล็กและบางและมีความต้านทานต่อไฟฟ้าต่ำ
SSM14N956L ใช้ไมโครโปรเซสเซอร์ของ Toshiba เช่นเดียวกับ SSM10N954L ที่เปิดตัวแล้ว ซึ่งช่วยให้มั่นใจได้ถึงการสูญเสียพลังงานที่ต่ำ เนื่องจากคุณสมบัติด้านความต้านทานไฟฟ้าต่ำชั้นนำในอุตสาหกรรม[1] และพลังงานสแตนด์บายต่ำ ซึ่งรับรู้ได้จากคุณลักษณะกระแสไฟรั่วที่เกต-ซอร์สที่ต่ำซึ่งเป็นระดับชั้นนำในอุตสาหกรรม[1] คุณสมบัติเหล่านี้ช่วยยืดเวลาการทำงานของแบตเตอรี่ ผลิตภัณฑ์ใหม่นี้ยังใช้บรรจุภัณฑ์ใหม่ขนาดเล็กและบาง TCSPED-302701 (2.74 มม. x 3.0 มม., t = 0.085 มม. (ทั่วไป))
Toshiba จะยังคงพัฒนาผลิตภัณฑ์ MOSFET สำหรับวงจรป้องกันในอุปกรณ์ที่ใช้พลังงานจากชุดแบตเตอรี่ลิเธียมไอออน
การใช้งาน
- อุปกรณ์อิเล็กทรอนิกส์สำหรับผู้บริโภคและอุปกรณ์สำนักงานและส่วนบุคคลที่มีชุดแบตเตอรี่ลิเธียมไอออน รวมถึงสมาร์ทโฟน แท็บเล็ต พาวเวอร์แบงค์ อุปกรณ์สวมใส่ เกมคอนโซล แปรงสีฟันไฟฟ้า กล้องดิจิทัลคอมแพค กล้องดิจิตอล SLR เป็นต้น
คุณสมบัติ
- ความต้านทานไฟฟ้าต่ำชั้นนำในอุตสาหกรรม[1]: RSS(ON)=1.1mΩ (typ.) @VGS=3.8V
- กระแสไฟรั่วจากแหล่งเกตต่ำชั้นนำในอุตสาหกรรม[1]: IGSS=±1μA (max) @VGS=±8V
- แพ็กเกจ TCSPED-302701 ขนาดเล็กและบาง: 2.74 มม. x 3.0 มม., t=0.085 มม. (ทั่วไป)
- โครงสร้างท่อระบายน้ำทั่วไปที่สามารถใช้งานได้ง่ายในวงจรป้องกันแบตเตอรี่
หมายเหตุ:
[1]: ในบรรดาผลิตภัณฑ์ที่มีการจัดอันดับเดียวกัน จากผลสำรวจของ Toshiba ในเดือนพฤษภาคม 2023
ข้อมูลจำเพาะหลัก
|
(เว้นแต่จะระบุไว้เป็นอย่างอื่น, Ta=25°C) |
||||
|
หมายเลขชิ้นส่วน |
SSM10N954L[2] |
|||
|
การกำหนดค่า |
ท่อระบายน้ำทั่วไป N-channel |
|||
|
การประเมินค่า สูงสุดสุทธิ |
แหล่งจ่ายแรงดัน VSSS (V) |
12 |
||
|
แรงดันแหล่งกำเนิดเกต VGSS (V) |
±8 |
|||
|
กระแสไฟแหล่งจ่าย (DC) IS (A) |
20.0 |
13.5 |
||
|
คุณลักษณะ ทางไฟฟ้า |
กระแสรั่วไหลของเกต-ซอร์ส IGSS max (μA) |
@VGS＝ ±8V |
±1 |
|
|
ความต้านทานไฟฟ้า ของแหล่งจ่าย RSS(ON) typ. (mΩ) |
@VGS＝4.5V |
1.00 |
2.1 |
|
|
@VGS＝3.8V |
1.10 |
2.2 |
||
|
@VGS＝3.1V |
1.25 |
2.4 |
||
|
@VGS＝2.5V |
1.60 |
3.1 |
||
|
แพ็กเกจ |
ชื่อ |
TCSPED-302701 |
TCSPAC-153001 |
|
|
ขนาดทั่วไป (มม.) |
2.74×3, t=0.085 |
1.49×2.98, t=0.11 |
||
|
การตรวจสอบตัวอย่างและความพร้อมใช้งาน |
||||
หมายเหตุ:
[2] จำหน่ายสินค้าแล้ว
ติดตามลิงก์ด้านล่างสำหรับข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับผลิตภัณฑ์ใหม่
SSM14N956L
หากต้องการตรวจสอบการวางจำหน่ายของผลิตภัณฑ์ใหม่ที่ผู้จัดจำหน่ายออนไลน์ โปรดไปที่:
SSM14N956L
ซื้อออนไลน์
* ชื่อบริษัท ชื่อผลิตภัณฑ์ และชื่อบริการอาจเป็นเครื่องหมายการค้าของบริษัทนั้น ๆ
* ข้อมูลในเอกสารนี้ รวมถึงราคาและข้อกำหนดของผลิตภัณฑ์ เนื้อหาบริการ และข้อมูลติดต่อ เป็นปัจจุบัน ณ วันที่ประกาศ แต่อาจเปลี่ยนแปลงได้โดยไม่ต้องแจ้งให้ทราบล่วงหน้า
เกี่ยวกับ Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation
Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation เป็นซัพพลายเออร์ชั้นนำด้านเซมิคอนดักเตอร์และโซลูชันจัดเก็บขั้นสูง โดยนำประสบการณ์และนวัตกรรมที่สั่งสมมากว่าครึ่งศตวรรษมาใช้ เพื่อมอบเซมิคอนดักเตอร์, วงจร LSI ระบบ และผลิตภัณฑ์ HDD ที่มีความโดดเด่นให้แก่ลูกค้าและคู่ค้าทางธุรกิจ
พนักงานของบริษัท 21,500 คนทั่วโลกมีความมุ่งมั่นในการเพิ่มคุณประโยชน์ของผลิตภัณฑ์ให้ถึงขีดสุด และส่งเสริมการทำงานร่วมกันอย่างใกล้ชิดกับลูกค้า เพื่อร่วมสร้างคุณประโยชน์และตลาดใหม่ ๆ ร่วมกัน ด้วยยอดขายต่อปีเกือบ 800 พันล้านเยน (6.1 พันล้านเหรียญสหรัฐ) Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation ตั้งตารอที่จะสร้างและเข้ามามีบทบาทเพื่ออนาคตที่ดีกว่าสำหรับผู้คนทุกที่
ดูข้อมูลเพิ่มเติมได้ที่ https://toshiba.semicon-storage.com/ap-en/top.html
สามารถรับชมภาพในรูปแบบมัลติมีเดียได้ที่: https://www.businesswire.com/news/home/53401946/en
เนื้อหาใจความในภาษาต้นฉบับของข่าวประชาสัมพันธ์ฉบับนี้เป็นฉบับที่เชื่อถือได้และเป็นทางการ การแปลต้นฉบับนี้จึงมีจุดประสงค์เพื่ออำนวยความสะดวกเท่านั้น และควรนำไปเทียบเคียงอ้างอิงกับเนื้อหาในภาษาต้นฉบับ ซึ่งเป็นฉบับเดียวที่มีผลทางกฎหมาย
ติดต่อ
ช่องทางสอบถามสำหรับลูกค้า
ฝ่ายขายและการตลาดอุปกรณ์สัญญาณขนาดเล็ก
โทร: +81-44-548-2215
ติดต่อเรา
ช่องทางสอบถามสำหรับสื่อมวลชน:
Chiaki Nagasawa
ฝ่ายการตลาดดิจิทัล
Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation
semicon-NR-mailbox@ml.toshiba.co.jp
แหล่งที่มา: Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation
